目前已有越來越多應用會使用到低至 190nm 的波長，但眾所周知，要將光纖端接在深紫外光中非常困難，因為日曬和紫外線壓力會導致光纖壽命縮短、故障和性能不佳。我們的增強型抗紫外 (ESR) 光纖和專業技術可為客戶提供耐用及良好性能的深紫外線組件。即使在 215nm 的氘燈下曝光後，我們的深紫外線光纖的傳輸率僅下降 30%，並在 40 小時後穩定。

• 參數規格

光學特性

工作波長	190-800nm, 1064nm
數值孔徑(N.A)	0.22±0.02
衰減規格	<0.6Db/m@260nm <0.1dB/m@350nm
紫外穿透率@215nm	>75%/3m/115um >70%/3m/230um >65%/3m/455um
光纖類型	Step-Index Multimode
纖芯材料	High-OH Fused Silica

幾何特性

芯徑(um)	115um	230um	455um
包層直徑(um)	125um	250um	500um
主要緩衝直徑(um)	230um	380um	800um
次要緩衝直徑(um)	-	-	1300um
緩衝材料	UV Acrylate	UV Acrylate	Silicone/Polyamide
長期彎曲半徑(mm)	25mm	50mm	100mm

 

• Fiber Model